Social Media Ideas for 3D Nand

Yangtze Memory's Decade in 3D NAND Flash

Yangtze Memory Technologies' STAR Market filing caps a decade of catching up in 3D NAND, from 32 layers to 294.

SK hynix ускоряет разработку 3D-стекированной DRAM — технологии, аналогичной 3D V-Cache, но для памяти

SK hynix активизировала разработку DRAM с 3D-компоновкой поверх логического кристалла (3D-Stacked DRAM-on-Logic), предназначенной для работы на оборудовании нового поколения для си...

Представлена рекордная 3D NAND память с 332 слоями и скоростью 4800 МТс

Источник: Компьютерра - Журнал о науке и технологиях Компании Kioxia и Sandisk представили новую флэш-память BiCS10 3D QLC NAND, которая характеризуется повышенной плотностью хран...

Samsung introduces zHBM to stack memory vertically on logic chip

Samsung Electronics showcased its next-generation 3D memory architectures at the Future of Memory and Storage 2026 in California on Tuesday (local time), unveiling mockups of zHBM...

Macronix создала двухуровневые SSD со слоями SLC и TLC

Тайваньская компания Macronix в сотрудничестве с исследовательским центром IBM разработала так называемые двухуровневые SSD (Dual-Tier SSD), передаёт Blocks & Files. Идея заклю...

Samsung showcases fast and efficient BV-NAND V10 storage, zHBM for AI accelerators

Samsung is showcasing a great variety of memory and storage technologies at its booth at the Future of Memory and Storage (FMS) 2026 event in Santa Clara, California. Thirteen y...

Kioxia начала тестовые поставки 230-слойной флеш-памяти BiCS 9-го поколения со скоростью до 4,8 Гбит/с

Компания Kioxia объявила о начале поставок заинтересованным клиентам образцов памяти Triple-Level Cell (TLC) ёмкостью 1 Тбит (терабит), изготовленной с использованием технологии фл...

NVIDIAが「cuFile API」をオープンソース化／キオクシアとSandiskがQLC技術と332積層を用いた第10世代3Dフラッシュメモリを開発

うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、8月2日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！

An 'oxygen tunnel' could unlock faster, more reliable 3D memory

A layered dielectric guides oxygen to where it is needed in vertical transistors, boosting current, retention and reliability for 3D compute-in-memory chips.

Kioxia ships samples of 9th-generation flash memory

ИИ-бум добрался до NAND — Kioxia и Sandisk потратят $31 млрд на расширение производства

Производители твердотельной памяти выгоду ИИ-бума почувствовали позднее своих коллег из сегмента DRAM, но упускать её также не собираются. Kioxia и Sandisk намерены потратить $31,4...

Samsung Releases PCIe 6.0 SSD Tailored for Next-Gen AI Infrastructure

The PM1763 pairs a newly developed 4-nm controller with ninth-generation V-NAND, more than doubling the throughput of Samsung's fastest PCIe 5.0 enterprise drive.

Samsung анонсировала память zHBM и zNAND-O, показала LPDDR5X-PIM и V10 BV-NAND

Производители памяти уже смотрят в более далёкое будущее, в котором у прирастающей числовыми индексами HBM появятся более прогрессивные преемники. Компания Samsung Electronics соби...

Samsung Electronics wins 2 awards at int'l chip conference

Samsung Electronics said Thursday it has won two awards at an annual international semiconductor conference in recognition of its next-generation memory technologies. The Korean te...

SK hynix намерена увеличить на 50 % производство флеш-памяти NAND в Китае в 2027 году

SK hynix продолжает инвестировать капитал, человеческие ресурсы и стратегическое планирование в свой завод по производству флеш-памяти NAND в Китае, пишет TechPowerUp со ссылкой на...

YMTC готовит IPO на $4,9 млрд — китайский производитель флеш-памяти хочет нарастить выпуск 3D NAND

Июльский биржевой дебют китайской компании CXMT к августу превратил её в самую дорогую на местном фондовом рынке, оценив капитализацию этого производителя оперативной памяти в $524...

Samsung представила флеш-память BV-NAND V10 и zHBM для ИИ

Компания Samsung представила несколько новых разработок в области памяти и накопителей на выставке FMS 2026. Среди них — флеш-память BV-NAND V10 и решение zHBM для искусственного и...

Samsung рассказала, чем будет хороша память HBM5, zHBM и zNAND-O

Южнокорейская компания Samsung Electronics воспользовалась трибуной отраслевой конференции Semicon Taiwan 2026 для рассказа о своих планах в сфере разработки и выпуска новых типов...

Samsung намерена сама выпускать 2-нм кристаллы для HBM5 — без TSMC и специально для Nvidia

Samsung Electronics уже не первый год подряд развивает площадку в южнокорейском Йонъине, создавая там кампус, сочетающий небольшие производственные мощности и исследовательский цен...

Sandisk и SK hynix представили память для ИИ с емкостью до 512 ГБ и пропускной способностью до 3 ТБ/с

Источник: Компьютерра - Журнал о науке и технологиях Компании Sandisk и SK hynix официально представили спецификацию High Bandwidth Flash (HBF) — совместно разработанную технологи...

Pilot Line Advances 2D Chipmaking 

Can 2D semiconductors replace silicon? A new pilot line targets 5nm-equivalent chips without relying on EUV lithography by 2029. Shanghai-based semiconductor start-up Yuanjiwei has...

Китайская YMTC заявила, что к концу 2027 года станет крупнейшим производителем NAND в мире

По итогам второго квартала текущего года, как отмечали ранее представители Counterpoint Research, китайской компании YMTC удалось войти в тройку крупнейших производителей флеш-памя...

CXMT запустила пробное производство памяти HBM3E

Китайский производитель микросхем памяти CXMT начал производство небольших тестовых партий передовой высокоскоростной памяти HBM3E. Несколько китайских компания, включая T-Head (до...

Litho Booster 1000 Enables Highly Accurate Overlay Correction in Wafer-to-Wafer Bonding Processes for 3D Semiconductor S...

Nikon Corporation will release the Litho Booster 1000 alignment station in January 2027. Compared with the previous model, the new system improves measurement accuracy by approxima...